技術(shù)編號(hào)：6866333
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種形成包含從施主晶片的半導(dǎo)體材料剝離的層的結(jié)構(gòu)的方法，該方法包括以下的連續(xù)步驟(a)注入原子種類(lèi)以在施主晶片中在給定深度形成弱區(qū)(weaknesszone)；(b)將施主晶片鍵合(bonding)到主晶片；(c)提供能量以在弱區(qū)處分離(detach)從施主晶片剝離的層；(d)處理該剝離層。背景技術(shù) 這種類(lèi)型的層剝離稱(chēng)為Smart-Cut并且對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員是公知的。尤其是，可在已經(jīng)公開(kāi)了的許多文獻(xiàn)中找到詳細(xì)資料，例如在由“Kluwer Ac...
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