技術(shù)編號：6866856
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體發(fā)光元件、電子器件等的氮化物半導體裝置。背景技術(shù) 作為使用氮化鎵(GaN)等氮化物半導體的發(fā)光二極管的透光性電極，在日本特開平11-186599號公報(以下稱為專利文獻1)中公開了設置厚度20nm以下的銀(Ag)電極的方案。銀電極與氮化物半導體較良好地歐姆接觸。另外，銀電極也與電阻率較大的p型氮化物半導體較良好地歐姆接觸。另外，若設銀電極的厚度在20nm以下，則可透過具有350～600nm左右的波長的光，因此可將銀電極用作透光電極。特別是對...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。