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技術(shù)編號(hào)：6867334

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本發(fā)明涉及電子器件的制造，尤其涉及用于形成應(yīng)變Si和SiGe合金膜的方法，其中SiGe合金膜具有改善的導(dǎo)熱性。背景技術(shù) 對(duì)于在高性能CMOS器件中的使用，具有拉伸應(yīng)變的硅層令人感興趣。應(yīng)變硅層中得到改善的電荷載流子遷移率可以增強(qiáng)FET性能(更高的導(dǎo)通狀態(tài)電流)而無需在器件中進(jìn)行幾何縮放。應(yīng)變硅層一般是通過在松弛的硅鍺(SiGe)層上生長Si層而形成的。取決于器件的應(yīng)用，SiGe層既可以在體硅襯底上生長，也可以形成在絕緣層的頂部以形成絕緣體上硅鍺(SGOI)...
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