技術(shù)編號：6868640
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及具有記憶功能的。背景技術(shù) 具有浮動?xùn)?floating gate)的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲器甚至當(dāng)關(guān)閉電源時可保留一些信息。在這種非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲器中，重要的是控制覆蓋浮動?xùn)诺慕^緣膜的厚度。例如，具有通過形成電容器絕緣膜和按序形成傳導(dǎo)膜，從而形成非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲器的方法(參考文獻(xiàn)1日本專利特開No.2004-140413)。作為存儲器元件，開發(fā)了具有有機(jī)半導(dǎo)體的元件(參考文獻(xiàn)2日本專利特開No.2004-47791)。參考文獻(xiàn)2公開了一種開關(guān)存儲...
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