技術(shù)編號：6868804
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是涉及一種磊晶晶片，特別是涉及制造一種磊晶層較厚、且厚度偏差較小的磊晶晶片的方法。背景技術(shù) 制造半導(dǎo)體器件時，會使用在硅晶片等基板上堆積硅單晶而成的磊晶晶片。該磊晶晶片可以依照例如圖6所示的流程制造。首先，準(zhǔn)備經(jīng)蝕刻的硅晶片(CW)作為磊晶晶片用基板。使用摻雜濃度較高的晶片時，為了防止自摻雜，在背面?zhèn)刃纬蒀VD氧化膜。隨后，研磨晶片的表面(生長磊晶層側(cè)的表面)后，進(jìn)行洗滌。隨后，使用磊晶生長裝置，在基板的經(jīng)研磨過的表面上，生長由硅單晶構(gòu)成的磊晶層至預(yù)...
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