技術(shù)編號：6868905
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請要求2000年8月17日申請的韓國專利申請No.2000-47585和2000年11月11日申請的韓國專利申請No.2000-64715的優(yōu)先權(quán)，這里引入這兩份申請的內(nèi)容作為參考。背景技術(shù) 本發(fā)明一般涉及在絕緣體上硅(SOI)型襯底上形成半導(dǎo)體器件的方法，以及由該方法形成的半導(dǎo)體器件。更具體地說，涉及當(dāng)在SOI型襯底上進(jìn)行溝槽器件隔離時，防止有源區(qū)周圍的SOI層彎曲的方法，以及由該方法形成的半導(dǎo)體器件。當(dāng)形成了具有不同雜質(zhì)類型的相鄰半導(dǎo)體層時，層之間...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。