技術(shù)編號(hào):6869728
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及元件分離技術(shù),特別是涉及關(guān)于在SOI(Silicon OnInsulator硅絕緣體)襯底上形成的MIS(Metal Insulator Semiconductor金屬-絕緣體-半導(dǎo)體)晶體管的元件分離。背景技術(shù) 將多個(gè)MIS晶體管(例如MOS晶體管)之間分離的元件分離技術(shù)中,已知有利用絕緣膜的元件分離。該元件分離用絕緣膜通過從形成MOS晶體管的半導(dǎo)體襯底表面開始的處理來形成。所謂塊(bulk)型MOS晶體管即在半導(dǎo)體襯底表面上有限地形成高濃度雜...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。