技術(shù)編號：6870217
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及在依次層疊半導(dǎo)體襯底、絕緣膜和半導(dǎo)體層而成的襯底上形成有晶體管的半導(dǎo)體器件，具有該半導(dǎo)體器件的驅(qū)動電路以及該半導(dǎo)體器件的制造方法。背景技術(shù) 迄今，為了器件的高性能化，已提出在依次層疊半導(dǎo)體襯底、絕緣膜和半導(dǎo)體層而成的SOI(硅在絕緣體上)襯底上形成MOS晶體管的技術(shù)。例如，在專利文獻(xiàn)1中公開了利用SOI襯底實(shí)現(xiàn)可以以低電壓高速工作的具有MOS晶體管的半導(dǎo)體器件的技術(shù)。而且，在專利文獻(xiàn)2中公開了利用SOI襯底實(shí)現(xiàn)可低電壓工作且泄露電流少的具有MOS...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。