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技術(shù)編號：6871317

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專利說明高速且穩(wěn)定地進(jìn)行數(shù)據(jù)讀出工作的 薄膜磁性體存儲器 [發(fā)明領(lǐng)域]本發(fā)明涉及薄膜磁性體存儲器，更特定地說，涉及具備有磁隧道結(jié)(MTJ)的存儲單元的隨機(jī)存取存儲器。作為能以低功耗來存儲非易失性數(shù)據(jù)的存儲器，MRAM(磁隨機(jī)存取存儲器)器件正在引起人們的注意。MRAM器件是使用在半導(dǎo)體集成電路上形成的多個薄膜磁性體進(jìn)行非易失性的數(shù)據(jù)存儲、能對薄膜磁性體的每一個進(jìn)行隨機(jī)存取的存儲器。特別是，已發(fā)表了近年來通過將利用了磁隧道結(jié)(MTJ)的薄膜磁性體作為存儲單元...
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