技術(shù)編號：6871866
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種光子晶體掩膜層制作方法和裝置，特別是一種利用激光多光束干涉技術(shù)在發(fā)光二極管上制作二維光子晶體覆層掩膜的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法和裝置。背景技術(shù) 近年來在固體照明，高亮度發(fā)光二極管(LED)顯示出了非常強(qiáng)的競爭力。與傳統(tǒng)的照明光源相比，LED具有能耗低、尺寸小、壽命長等眾多優(yōu)點(diǎn)，產(chǎn)業(yè)化發(fā)展十分迅速。研究LED的關(guān)鍵問題是如何提高LED的發(fā)光效率，以降低能耗且提高使用壽命。在已有產(chǎn)業(yè)化的LED產(chǎn)品中，盡管LED的內(nèi)部量子效率已接近100％，但是產(chǎn)生的大部分光...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。