技術(shù)編號：6871973
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種只讀性存儲元件結(jié)構(gòu)與制造方法，且特別涉及一種閃存的結(jié)構(gòu)與制造方法。請參照附圖說明圖1，是公知的閃存存儲單元(flash memory cell)的結(jié)構(gòu)示意圖。閃存存儲單元在一P型基底10上形成一N井12，然后在N井12上形成一堆棧柵(stacked gate)14，并于N井12內(nèi)部與堆棧柵14兩側(cè)分別形成N+離子區(qū)域16、18，用以分別作源極與漏極，且在漏極端的N+離子區(qū)域18外圍再形成一深P型離子區(qū)域20，并在堆棧柵14下面形成一淺P型離子...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。