技術(shù)編號：6872122
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體集成電路制造領域，更具體地說，本發(fā)明涉及三柵極全耗盡型襯底晶體管及其加工方法。背景技術(shù) 為了提高器件性能，絕緣體上硅(silicon on insulator，SOI)晶體管已被建議用來加工現(xiàn)代集成電路。圖1示出了標準全耗盡型絕緣體上硅(SOI)晶體管100。SOI晶體管100包括單晶硅襯底102，其具有絕緣層104，例如其上形成的氧化埋層。在絕緣層104上形成單晶硅主體106。在單晶硅主體106上形成柵極電介質(zhì)層108，并在柵極電介質(zhì)層1...
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