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具有柵極絕緣膜的半導(dǎo)體裝置及其制造方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):6872352

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本發(fā)明涉及,特別地涉及具有由高介電常數(shù)材料構(gòu)成的柵極絕緣膜的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。背景技術(shù) 在作為大規(guī)模集成電路(LSI)的基本結(jié)構(gòu)電路的MIS(metal-insulator semiconductor金屬-絕緣層-半導(dǎo)體)FET(field-effecttransistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管)中,以前按比例縮放原則實(shí)現(xiàn)了高集成化。在MISFET中,作為柵極氧化膜一直使用二氧化硅(SiO2)。但是,被認(rèn)為使用了SiO2的柵極絕緣膜在2.0nm左右的膜厚到達(dá)界...
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