技術編號：6873979
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體元件，且特別是涉及一種。背景技術 非易失性存儲器元件由于具有可多次數(shù)據(jù)的存入、讀取、抹除等操作，且存入的數(shù)據(jù)在斷電后也不會消失的優(yōu)點，因此已成為個人計算機和電子設備所廣泛采用的一種存儲器元件。典型的非易失性存儲器元件，一般是被設計成具有堆疊柵極(Stacked-Gate)結構，其中包括以摻雜多晶硅制作的浮置柵極(Floating Gate)與控制柵極(Control Gate)。浮置柵極位于控制柵極和基底之間，且處于浮置狀態(tài)，沒有和任何...
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