技術(shù)編號(hào)：6874531
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制造具有異質(zhì)半導(dǎo)體區(qū)的半導(dǎo)體裝置的方法。背景技術(shù) 作為本發(fā)明的背景技術(shù)，現(xiàn)有技術(shù)包括一種由申請(qǐng)人提交的、公開(kāi)于日本特開(kāi)2003-318398號(hào)公報(bào)的半導(dǎo)體裝置?，F(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體基底，它由n+型碳化硅襯底和形成于其上的n-型碳化硅外延區(qū)構(gòu)成；以及n-型和n+型多晶硅區(qū)，其形成為與半導(dǎo)體基底的一個(gè)主表面相接觸。在該半導(dǎo)體裝置中，外延區(qū)以及n-和n+型多晶硅區(qū)連接在一起以形成異質(zhì)結(jié)。該半導(dǎo)體裝置還包括柵極，該柵極鄰接其間具有柵絕緣膜的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。