技術(shù)編號：6874627
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及制作半導體器件的方法。更特別地，本發(fā)明涉及。背景技術(shù) 在半導體器件源/漏區(qū)的形成過程中，于半導體襯底上沉積定義為用于保護半導體襯底的掩蔽絕緣膜(screen insulation film)的離子注入阻擋絕緣膜(barrier insulation film)。然后實施用于形成源/漏區(qū)的離子注入工藝。然而，如果具有相同厚度的離子注入阻擋絕緣膜形成于其中定義有PMOS區(qū)和NMOS區(qū)的半導體襯底上以及然后在每一區(qū)上實施該離子注入工藝以形成源/漏區(qū)，就...
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