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技術(shù)編號(hào)：6874630

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本發(fā)明涉及具有薄膜晶體管(Thin Film TransistorTFT)的半導(dǎo)體裝置、電子設(shè)備、半導(dǎo)體裝置的制造方法和電子設(shè)備的制造方法，特別是涉及使用液相工藝制作TFT的改進(jìn)。背景技術(shù) TFT由導(dǎo)電膜、絕緣膜和半導(dǎo)體膜等薄膜構(gòu)成，在所述的薄膜的形成中利用CVD(Chemical Vapor Deposition即、化學(xué)氣相沉積)法和濺射法。此外，為了形成薄膜圖形，使用抗蝕劑材料形成掩模圖形等都需要進(jìn)行蝕刻。因此，要制造使用了TFT的半導(dǎo)體裝置，就需要高...
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