技術編號：6876473
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種具有使用銅作為互連層主要材料的互連結構的半導體器件的制造方法，以及一種具有使用銅作為互連層主要材料的互連結構的磁頭的制造方法。背景技術 隨著半導體器件的規(guī)模越來越大以及集成度越來越高，隨更新?lián)Q代互連的設計規(guī)則已經(jīng)減少。傳統(tǒng)地，通過沉積互連材料以及利用光刻和干蝕刻圖案化所沉積的互連材料來形成互連層，但是隨著更新?lián)Q代上述工藝開始出現(xiàn)技術限制。作為取代傳統(tǒng)互連形成工藝的一種形成互連層的新工藝，目前正在使用所謂的鑲嵌工藝，該鑲嵌工藝在層間絕緣膜中形成...
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