技術(shù)編號(hào):6877005
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種記憶元件及其制造方法,且特別是有關(guān)于一種非 揮發(fā)性記憶元件及其制造方法。背景技術(shù)非揮發(fā)性記憶體(Non-volatile memory, "NVM")是一種能夠在去除電 源后仍能夠持續(xù)地儲(chǔ)存訊息的半導(dǎo)體記憶體。NVM包括光罩式唯讀記憶體 (Mask R0M)、可編程唯讀記憶體(PROM)、可抹除編程唯讀記憶體(EPROM)、 可電除可編程唯讀記憶體(EEPROM)和快閃記憶體(Flash memory).非揮發(fā) 性記憶體廣泛地用于半導(dǎo)體工...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。