技術編號：6886258
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。這里的實施例提出了一種用于標準正交電路的混合取向方案的器件、 方法等等。背景技術眾所周知，在電流流動方向沿<110>方向的(110)珪襯底的空穴遷移 率大于常規(guī)(100)襯底的兩倍，或等價地、大于任何具有沿<001>族取向 的襯底的兩倍。然而電子遷移率在(IOO)襯底上是最高的。為充分利用取決于表面取向的栽流子遷移率的優(yōu)點，已在具有不同晶體取向的混合襯底上制備CMOS器件，NFET在(100 )表面取向的硅上以及PFET在(110 ...
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