技術編號：6886761
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明大體上涉及半導體裝置，且更特定來說涉及具有亞光刻溝道的隧穿晶體管。 背景技術半導體行業(yè)存在市場驅動的減小例如晶體管等裝置的尺寸以及增加襯底上裝置密 度的需要。 一些產品目標包含較低功率消耗、較高性能以及較小尺寸。晶體管長度已變 得很小，使得當其關閉時電流繼續(xù)流動，從而消耗電池并影響性能。當金屬氧化物半導 體(MOS)晶體管的柵極-源極電壓小于其電壓閾值時，其在亞閾值區(qū)內。此特征在于 漏極電流隨著柵極-源極電壓的指數變化。隨著技術進步，亞閾值泄漏電流可...
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