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技術(shù)編號(hào)：6887759

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本發(fā)明涉及。更具體的，本發(fā) 明涉及，該方法能夠經(jīng)濟(jì)而有效的形成用作太陽能電池光吸收層的i-ni-vi2復(fù)合薄膜。 背景技術(shù)含有例如CuInSe2(以下稱為"CIS")和CuIni_xGaxSe2(以下稱為"CIGS") 的WII-Vl2化合物的三元薄膜是正被積極研究的用作太陽能電池光吸收層的 化合物半導(dǎo)體(compound semiconductor)。與傳統(tǒng)的晶體硅太陽能電池相比 較，CIS薄膜太陽能電池具有的優(yōu)勢在于其可以制成10微米或更薄并且顯 示出...
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