技術編號：6888418
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。具有在絕緣體上硅或體硅中構(gòu)建的背柵極的結(jié)場效應晶體管 背景技術結(jié)場效應晶體管(JFET)被構(gòu)建在半導體襯底中的有源區(qū)中，其中有 源區(qū)被場氧化物(field oxide)包圍。在有源區(qū)中，形成了被稱為阱(well)的導電區(qū)，該阱與體襯底形成了 PN結(jié)。該PN結(jié)被稱為背柵極， 并且在傳統(tǒng)情況下形成到阱的表面接觸以便可以向阱區(qū)域施加偏壓以用于 各種目的。該獨立的用于阱的接觸消耗了芯片面積，并且減少了在任何晶 片上可形成的器件的總數(shù)。在阱中，形成了導電溝道區(qū)域，并...
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