技術(shù)編號：6888422
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種表面發(fā)射激光元件及其制造方法和一種表面發(fā)射 激光陣列及其制造方法。更具體地說，本發(fā)明涉及一種在發(fā)射區(qū)中具 有均勻發(fā)光的表面發(fā)射激光元件和一種表面發(fā)射激光陣列，以及其具 有良好成品率的制造方法。背景技術(shù)為了得到具有高的發(fā)光強(qiáng)度和可靠性的半導(dǎo)體發(fā)光元件，對于與半導(dǎo)體發(fā)光元件相關(guān)的襯底，需要GaN襯底，該GaN襯底是導(dǎo)電的并 具有低位錯(cuò)密度。為此，用于半導(dǎo)體發(fā)光元件的導(dǎo)電性GaN襯底具有 在襯底的晶體中有意地集中的位錯(cuò)，從而形成高位錯(cuò)密度的區(qū)域(下...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。