技術(shù)編號(hào):6888424
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及包括承載晶片和碳化硅施體層的多層半導(dǎo)體晶片,以及其 制備方法。背景技術(shù)氮化鎵(GaN)通常被用作半導(dǎo)體器件中的活性層,原因在于其高的直 接帶隙、高的電子飽和速率和高的電壓阻斷容量。該直接帶隙非常適合于 制造綠色和藍(lán)色LED以及激光二極管。氮化鎵鋁(GaAlN)和氮化鎵銦 (GalnN)的晶體也可以用于這些應(yīng)用中,GaAlN具有較大的帶隙,GalnN 具有較小的帶隙?;诘锏钠骷脖挥糜谖⒉ㄆ骷?、高功率器件和 HEMT中。但是,GaN晶體難于生...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。