技術(shù)編號(hào)：6889192
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明大體上涉及電子器件，更特別涉及在金屬襯底上制成的電子器件。背景技術(shù)薄膜晶體管(TFT)器件廣泛用于電光陣列和顯示板的開關(guān)或驅(qū)動(dòng)電路。 傳統(tǒng)上采用沉積、圖案化和蝕刻步驟的^^口次序在剛性村底，通常玻璃或硅 上制造TFT器件。例如，非晶硅TFT器件要求將金屬，如鋁、鉻或鉬；非晶 硅半導(dǎo)體；和絕緣體如Si02或Si晶沉積、圖案化和蝕刻到襯底上。半導(dǎo)體薄 膜以典型厚度為幾納米至幾百納米的多層形式形成，中間層厚度大約幾樣丈 米，且半導(dǎo)體薄膜可以在位于剛性襯底上...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。