技術(shù)編號：689
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種輻敏半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括一半導(dǎo)體本體和一電路，該半導(dǎo)體本體在一基本平坦的表面上提供至少兩個子元件，該子元件構(gòu)成輻敏的二極管，二極管與半導(dǎo)體本體部分毗鄰，子元件間的距離應(yīng)足夠小，以使子元件間的半導(dǎo)體本體因在二極管兩端加上一反向電壓而完全被耗盡區(qū)耗盡，以便抑止子元件間的電荷轉(zhuǎn)移;該電路用以在輻敏二極管兩端施加反向電壓，以及用以檢測在該耗盡區(qū)所組成的二極管輻敏區(qū)中由輻射所產(chǎn)生的光電電流。上述類型的輻敏半導(dǎo)體器件例如被用于圖像再現(xiàn)的光敏電路裝置中和用于跟蹤或定位光束(或一種不同類型的輻射束)的設(shè)備中。...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。