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技術(shù)編號(hào)：6890008

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本發(fā)明涉和半導(dǎo)體器件和制造方法，尤其是涉及溝道中具有應(yīng)力的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)晶體管。 背景技術(shù) 每一代新的半導(dǎo)體技術(shù)都要求半導(dǎo)體器件具有更高的性能，尤其是CMOS晶體管的性能。晶體管性能的主要度量之一是每單位寬度的晶體管的導(dǎo)通電流，該導(dǎo)通電流典型地被測(cè)量為每微米溝道寬度(或其通用稱為“柵極寬度”)幾百微安培。已經(jīng)考慮且實(shí)施各種方法來(lái)增強(qiáng)CMOS晶體管的導(dǎo)通電流，也就是PFET(其中少數(shù)載流子是p型載流子空穴的晶體管)和NFET(其中少數(shù)...
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