技術(shù)編號：6890011
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及一種半導(dǎo)體器件以及形成半導(dǎo)體器件的方法。 背景技術(shù)諸如金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的半導(dǎo)體器件 被作為功率器件普遍使用在諸如自動化電子、電源、通訊的應(yīng)用中，這些應(yīng)用要求器件在十分之幾安培(A)到數(shù)百安培(A)的范圍的電 流下進(jìn)行操作。傳統(tǒng)地，通過將適當(dāng)?shù)碾妷菏┘拥組OSFET器件的柵電極，器件 導(dǎo)通(即，器件處于導(dǎo)通狀態(tài))，并且將形成連接源區(qū)和漏區(qū)的溝道， 以允許電流流動。當(dāng)MOSFET器件導(dǎo)通時(shí)，電流和電壓之間的關(guān)系近 似為線性...
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