技術編號：6891279
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明有關于一種半導體裝置，特別有關于一種具有硅通孔(TSV, Through Silicon Via)的半導體芯片構造及其堆疊組合。背景技術在半導體電子產(chǎn)品的領域中，集成電路形成半導體芯片的主動表面，而傳 統(tǒng)芯片的端子，例如焊墊，也形成于主動表面。在芯片的高密度電性互連技術 中，希望芯片的主動表面與背面都設有端子，以供立體堆疊或/與高密度封裝。 故有人提出一種芯片堆疊組合構造的技術能朝向高功率、高密度與微小化等高 精密度工藝發(fā)展，即硅通孔(TSV, Th...
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