技術編號：6891558
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。示例性實施例涉及一種半導體裝置以及制造該半導體裝置的方法。其它示例性實施例涉及一種使用納米線(nanowire)作為發(fā)光層的發(fā)光裝置以及制 造該發(fā)光裝置的方法?！?背景技術 通過使發(fā)光裝置的半導體層中的電子和空穴相結合，產(chǎn)生從發(fā)光裝置(例 如，發(fā)光二極管(LED)或激光二極管(LD))發(fā)射的光。從發(fā)光裝置產(chǎn)生的光的 波長根據(jù)半導體層(即，發(fā)光層)的能量帶隙的大小變化。發(fā)光裝置的發(fā)光層通常由in-v族半導體化合物或n-vi族半導體化合物形成。所述半導體化合物...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。