技術(shù)編號(hào):6892499
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種,屬于在大量生產(chǎn)制造工藝中 利用硅片作為襯底的半導(dǎo)體器件制造方法。技術(shù)背景采用傳統(tǒng)的襯底硅片制造方法,硅片需要經(jīng)過(guò)如下步驟切片、倒角、研磨、腐蝕、一側(cè)或雙側(cè)拋光。倒角后的硅片邊緣輪廓有T型和R型兩種(如圖1和圖2所示),都屬于對(duì)稱 輪廓,即硅片的正反兩個(gè)表面,其邊緣輪廓是一致的。在后續(xù)的晶片加工過(guò)程中,硅片會(huì)進(jìn) 行背面減薄作業(yè),如附圖l、圖2、圖3中箭頭下方圖形所示,最終厚度t通常會(huì)在大約100 um左右,采用傳統(tǒng)倒角方法制造的硅片,背面減薄...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。