技術編號：6892758
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造領域的檢測制程，具體地說，涉及一種金屬氧化物 半導體(Metal Oxide Semiconductor, MOS)器件的特性測量結構。背景技術圖l為現有的MOS器件的特性測量結構。該結構中有3個MOS管MOSl'、 MOS2' 、 MOS3' 。 MOS器件的漏極分別連在襯墊Dl' 、 D2' 、 D3'上；所有MOS 器件的源極連在一起共享襯墊S'，所有MOS器件的襯底連在一起共享襯墊B'。 所迷MOS器件上的柵極均連在一個保護二級...
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