技術(shù)編號(hào)：6893151
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種隔離結(jié)構(gòu)的制備方法，特別涉及在三極管和M0S管混 合電路制備中實(shí)現(xiàn)場(chǎng)效應(yīng)層隔離結(jié)構(gòu)和深溝槽隔離結(jié)構(gòu)的方法 背景技術(shù)在雙極型晶體管(Bipolar,又稱(chēng)三極管)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(M0S管) 混合電路制備中，經(jīng)常會(huì)同時(shí)存在著兩個(gè)物理隔離結(jié)構(gòu)。例如，在場(chǎng)效應(yīng) 晶體管電路中采用場(chǎng)氧化層(FIL0X)隔離結(jié)構(gòu)，而在雙極型晶體管電路 中采用深溝槽(De印trench)隔離結(jié)構(gòu)。對(duì)于可工作的深溝槽工藝，溝 槽的寬度必須固定；而隨機(jī)邏輯電路(Logic)中器件...
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