技術(shù)編號：6893170
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種芯片互聯(lián)工藝中芯片通孔的制備方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，芯片的后期封裝技術(shù)也從原來的單芯片封裝技術(shù)(S0C， system on chip)發(fā)展為多芯片封裝技術(shù)(SOP，system onpackage)。目前使用的多芯片技 術(shù)，都是基于在單個芯片制作完成后，再刻蝕出芯片間的互聯(lián)通孔(簡稱TSV通孔，through silicon via)來連接芯片。在這種情況下，由于芯片是串聯(lián)連接，芯片的分壓決定了電源只 能負(fù)載有限的芯片數(shù)目。再者...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。