技術(shù)編號：6893333
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。一種陽極短路的隧道泵IGBT，屬于半導體功率器件。 背景技術(shù)對于低壓應(yīng)用，功率MOS可以同時得到較理想的比導通電阻特性和較理想的開關(guān)特性。 但是對于中高壓應(yīng)用環(huán)境，功率MOS的比導通電阻會隨著耐壓的升高更快的升高。而IGBT 是一種由BJT和MOSFET復合而成的全控型電壓驅(qū)動式功率半導體開關(guān)器件，兼有功率MOS 的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點，旨在解決功率MOS由于導通電阻與耐壓 的矛盾關(guān)系而難以高壓應(yīng)用的問題。IGBT適合用于制作中等到大...
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