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一種高壓BCD (BJT/CMOS/DMOS)器件的制備方法，屬于半導(dǎo)體中的半導(dǎo)體 制造技術(shù)。本中高壓器件指耐壓達(dá)600V以上的功率器件。背景技術(shù)專業(yè)術(shù)語說明Nwell慘N型雜質(zhì)的阱；Pwell摻P型雜質(zhì)的阱；Deep-N+摻N型雜質(zhì)的深注入?yún)^(qū)； Pbase P型摻雜區(qū)I; Pbody P型摻雜區(qū)II; Pwell2 P型摻雜區(qū)III; Nchstop N型溝道截止環(huán)區(qū)；Pchstop P型溝道截止環(huán)區(qū)；Active有源區(qū)；Poly多晶硅區(qū)；NSD N型重...
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