技術(shù)編號(hào)：6893587
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及一種。背景技術(shù)半導(dǎo)體加工是集成電路制造關(guān)鍵的工藝制程，例如等離子刻蝕就是其中一種常用的半導(dǎo)體加工技術(shù)，其原理在于，被刻蝕物質(zhì)與等離子體中的活性基團(tuán)反應(yīng)，反應(yīng)生成物脫離基底表面，被真空系統(tǒng)抽出腔體，從而除去特定層或者層的特定部分。其目的是完整地將掩膜圖形復(fù)制到硅片表面，范圍涵蓋前端CMOS柵極大小的控制，以及后端金屬的刻蝕，刻蝕質(zhì)量好壞直接影響著圖形的完整性、分辨率和精度。在半導(dǎo)體加工過程中，監(jiān)測(cè)刻蝕速率、加工深度等工藝參數(shù)相當(dāng)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。