技術(shù)編號(hào)：6893588
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及工藝終點(diǎn)控制技術(shù)，特別涉及一種較小暴露面積(Low Open Area)工藝中的終點(diǎn)控制方法和裝置。在半導(dǎo)體工藝處理過程中，需要在硅片(Wafer)上加工出極細(xì)微尺寸的圖 形。而這些圖形的形成方式，就是采用光刻技術(shù)將掩膜板上的電路圖形轉(zhuǎn)移到 覆蓋于硅片表面的光刻膠上，再采用刻蝕技術(shù)，在硅片上沒有光刻膠(電路圖 形)保護(hù)的區(qū)域留下永久的圖形。在刻蝕過程中，對(duì)于刻蝕深度有著嚴(yán)格的要求，如果刻蝕深度不足或過度， 都會(huì)對(duì)工藝結(jié)果造成嚴(yán)重影響。而刻蝕深度與...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。