技術(shù)編號：6893772
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及p型Zni.xCoxO稀磁半導(dǎo)體薄膜的生長方法，尤其是N20摻雜 生長p型Zni.xCoxO稀磁半導(dǎo)體薄膜的方法。技術(shù)背景稀磁半導(dǎo)體(DMs)材料是在非磁性半導(dǎo)體(如iv-vi族、n-vi族或m-v族) 中摻雜磁性離子，利用載流子控制技術(shù)產(chǎn)生磁性的新型功能材料。由于磁性離子 局域磁矩與能帶電子自旋存在交換作用，因此通過改變磁性雜質(zhì)濃度和外磁場 強度可以有效控制它們的光電、磁性、光吸收和輸運等特性。dms同時應(yīng)用了 電子電荷和自旋性質(zhì)，因此可以直接...
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