技術(shù)編號：6894495
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種電容結(jié)構(gòu)及其形成方法，特別涉及一種用于升壓電路中 的電容結(jié)構(gòu)及其形成方法。背景技術(shù)在傳統(tǒng)的動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)中，升壓電路對于產(chǎn)生驅(qū)動單元 (cell)操作的高電壓具有舉足輕重的腳色。特別是隨著動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM)的技術(shù)不斷演進，當驅(qū)動單元操作的電壓仍然維持相對高伏特時， 例如約2.6V，但初始電壓(Vint)卻可能會降到了 1.0 V -1.5 V左右，這使得升 壓電3各的工作更加吃重。升壓電路的升壓效率主要取決于升壓...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。