技術(shù)編號(hào)：6895647
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件；更進(jìn)一步講，涉及在存儲(chǔ)單元中使用的具有電容器結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件及其制造方法。眾所周知，包括晶體管和電容器的存儲(chǔ)單元的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)主要通過微型化來減小尺寸而具有較高的集成度。然而，這仍然需要降低存儲(chǔ)單元的面積。因此，為了滿足這種需要，已提出幾種方法，如溝槽型結(jié)構(gòu)或疊層型電容器，這些電容器在存儲(chǔ)器件中對于電容器來說以三維形式排列來實(shí)現(xiàn)減小存儲(chǔ)單元面積的目的。然而，制造三維排列的電容器是一個(gè)長而且耗時(shí)的過程并且通常需要高...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。