技術(shù)編號：6896431
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種相變存儲器裝置，可在1個存儲器單元中保持2位數(shù)據(jù)。本申請根據(jù)2007年2月28日向日本申請的專利2007-049947號，主張優(yōu)先權(quán)，這里引用其內(nèi)容。背景技術(shù)作為使用相變膜作為存儲元件的存儲器單元(相變存儲器單元)的多 進(jìn)制化(例如，2位/l存儲器單元)方法，提出4階段控制并存儲存儲器 單元的電阻值的方式等。這時，為了寫入中間電平的電阻，通過控制寫入 時流過元件的電流量來控制電阻值，形成中間狀態(tài)的電阻值。在讀出時， 通過將這些電阻值與3種參照...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。