技術(shù)編號(hào)：6896788
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般而言涉及半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域，特別涉及一種在半導(dǎo)體器件中控制井泄漏(well leakge)的方法，其中該半導(dǎo)體器件具有不同深度的溝槽隔離。為了確保組件、或者組件群得到適當(dāng)隔離，現(xiàn)今半導(dǎo)體工藝包括在基底的不同區(qū)域中形成淺溝槽隔離(shallow trench isolations，STI)。這些淺溝槽隔離一般通過在半導(dǎo)體基底中蝕刻溝槽、且隨后以絕緣材料(亦即絕緣體，如二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅，或其它類似材料)填充該溝槽而形成。在形成溝槽隔離之后，通常...
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