技術編號：6896909
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及高速npn型InGaAs/InP雙異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管 (DHBT)器件的結(jié)構設計，尤其涉及一種InGaAsP組分漸 變集電極結(jié)構的npn型InGaAs/InPDHBT外延層結(jié)構。背景技術InP基材料有很高的飽和電子遷移速度，可獲得高的基極摻雜濃 度，非常適合作為超高速異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(Heterojunction Bipolar Transistor, HBT)。 InP基HBT的結(jié)構用InP材料作發(fā)射極，InGaAs 材料作為基極，InGaA...
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