技術(shù)編號：6897672
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體照明和金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)，尤其涉及短波長 AlGaN基量子阱發(fā)光二極管(LED)及其制備方法。背景技術(shù)III族氮化物材料是重要的寬禁帶半導體材料，具有帶隙范圍寬(0.96￥-6.26￥)、擊穿電 場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強以及耐化學腐蝕等特點，這些優(yōu)良的光、 電學性質(zhì)以及優(yōu)良的材料化學性能使III族氮化物材料在藍、綠、紫、紫外光及白光發(fā)光 二極管(LED)、短波長激光二極管(LD)、紫外光探測器和功率電子器...
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