技術(shù)編號：6897766
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及等離子體，特別涉及一種等離子體處理設(shè)備的氣體分 配裝置及采用該氣體分配裝置的等離子體處理設(shè)備。背景技術(shù)在等離子刻蝕、薄膜沉積等等離子體處理設(shè)備中，通常設(shè)有氣體分配裝置， 用來將刻蝕氣體或反應(yīng)氣體輸送至真空腔室內(nèi)。氣體分配裝置能否實現(xiàn)氣體的 均勻分配直接關(guān)系到等離子體處理工藝的結(jié)果，例如，用于沉積薄膜的反應(yīng)氣 體如果不能夠均勻地分配至真空腔室內(nèi)，則可能導(dǎo)致沉積形成的薄膜厚度均勻 性較差，從而不能達到設(shè)計要求。如圖1所示， 一種在半導(dǎo)體工藝中廣泛使用...
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