技術(shù)編號(hào)：6898152
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)元件陣列。背景技術(shù)隨著器件的小型化和密集化，現(xiàn)在需要對(duì)電子元件進(jìn)一步小型化。例如， 己知一種開關(guān)元件，其開關(guān)操作是通過在彼此相距微小間隙(納米間隙(nanogap))的兩個(gè)電極之間施加電壓來實(shí)現(xiàn)的。具體而言，例如己經(jīng)發(fā)展了一種開關(guān)元件，這種開關(guān)元件由穩(wěn)定材 料——二氧化硅和金制成，能夠通過簡單的制造方法——掩蔽蒸發(fā)來制造， 并且能夠穩(wěn)定地重復(fù)開關(guān)操作(例如參見日本特開No. 2005-79335)。為了將這種具有納米間隙的開關(guān)元件應(yīng)用于高...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。