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技術(shù)編號(hào)：6898570

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本發(fā)明涉及磁場(chǎng)探測(cè)元件及其制造方法，尤其涉及一種具有多個(gè)自由 層的磁場(chǎng)探測(cè)元件的結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)作為薄膜磁頭的重放元件，GMR (巨磁致阻抗)元件是己知的。迄今 為止，主要使用CIP (面內(nèi)電流(Current In Plane)) —GMR元件，其中 傳感電流(sense current)在水平于元件的薄膜表面的方向上流動(dòng)。不過， 近年來，為了應(yīng)付更高密度的記錄，已經(jīng)開發(fā)這樣的元件，其中傳感電流 在垂直于元件的薄膜表面的方向上流動(dòng)。利用TMR (隧道磁阻(...
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