技術(shù)編號：6898662
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種。技術(shù)背景隨著已經(jīng)小尺寸地制造半導(dǎo)體器件，高電壓器件的尺寸也己經(jīng)逐漸地減小。具體而言，高電壓器件無論其尺寸如何都必須執(zhí)行相同性能。另外，有 必要提供與低電壓器件的制造工藝兼容的制造方法。由于快速跳回(snapback)現(xiàn)象而在高電壓器件中可能出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象。 具體而言，如果增加向高電壓晶體管的漏極施加的電壓，則電子從其源極移向漏極。因此，在位于漏極方向上的間隔件的下部周圍可能出現(xiàn)碰撞電離。隨著碰撞電離出現(xiàn)，空穴從位于漏極方向上的間隔件的下部朝著...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。